COS封装半导体激光器
COS(Chip On Submount)封装是一种高效先进的半导体激光器封装技术,将激光芯片直接安装在基座上。COS封装技术具有高效、低热阻、可靠性强等优势,使其在工业加工、医疗设备和通信等领域得到广泛应用。
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10W~45W功率可选范围
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808~1064nm波长范围
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6nm半波全宽
资料下载
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产品优势
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产品参数
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相关产品
产品优势
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低热阻
COS封装通过优化热管理设计,显著降低了热阻,提升了激光芯片的散热效率
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稳定性
COS封装提供了卓越的机械稳定性,能够承受振动和冲击,使得设备在严苛环境下依然稳定运行
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功率和波长多样性
COS的功率和波长多样性,可供选择可以定制
产品参数
系列型号
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808
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880
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915
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976
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输出功率(W)
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中心波长(nm)
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阈值电流(A)
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工作电流(A)
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工作电压(V)
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快轴发射角 (95%)(°)
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慢轴发射角 (95%)(°)
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斜率效率
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电光转换效率(%)
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中心波长 (2A波长)
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半波全宽(nm)
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偏振态(%)
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发光面宽度(μm)
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焊接温度(℃)
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工作温度(℃)
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存储温度(℃)
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温漂系数(nm/°C)
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尺寸 (L×W×H)(mm)
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重量(g)
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808
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输出功率(W)8~10
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中心波长(nm)808
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阈值电流(A)1~1.8
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工作电流(A)8.5~11
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工作电压(V)1.75
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快轴发射角 (95%)(°)58
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慢轴发射角 (95%)(°)11
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斜率效率1.1
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电光转换效率(%)52~54
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中心波长 (2A波长)800~804
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半波全宽(nm)6
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偏振态(%)80
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发光面宽度(μm)200~400
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焊接温度(℃)≤260
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工作温度(℃)15~40
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存储温度(℃)0~70
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温漂系数(nm/°C)0.3
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尺寸 (L×W×H)(mm)4.8×4.05×0.456 / 4.5×5.7×0.5
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重量(g)<1
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880
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输出功率(W)10~15
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中心波长(nm)878
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阈值电流(A)1.5
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工作电流(A)11~15
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工作电压(V)1.75
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快轴发射角 (95%)(°)58
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慢轴发射角 (95%)(°)11
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斜率效率1.1
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电光转换效率(%)52~57
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中心波长 (2A波长)874~877
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半波全宽(nm)6
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偏振态(%)80
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发光面宽度(μm)200~400
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焊接温度(℃)≤260
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工作温度(℃)15~40
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存储温度(℃)0~70
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温漂系数(nm/°C)0.3
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尺寸 (L×W×H)(mm)4.8×4.05×0.456 / 4.5×5.7×0.5
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重量(g)<1
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915
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输出功率(W)12~35
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中心波长(nm)915
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阈值电流(A)0.6~1.8
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工作电流(A)12~35
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工作电压(V)1.75
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快轴发射角 (95%)(°)58
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慢轴发射角 (95%)(°)11
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斜率效率1.03
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电光转换效率(%)55~57
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中心波长 (2A波长)903~915
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半波全宽(nm)6
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偏振态(%)95
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发光面宽度(μm)96~230
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焊接温度(℃)≤260
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工作温度(℃)15~40
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存储温度(℃)0~70
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温漂系数(nm/°C)0.3
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尺寸 (L×W×H)(mm)4.8×4.05×0.456 / 4.5×5.7×0.5
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重量(g)<1
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976
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输出功率(W)12~35
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中心波长(nm)976
-
阈值电流(A)0.6~1.8
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工作电流(A)12~35
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工作电压(V)1.75
-
快轴发射角 (95%)(°)58
-
慢轴发射角 (95%)(°)11
-
斜率效率1.03
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电光转换效率(%)55~57
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中心波长 (2A波长)960~970
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半波全宽(nm)6
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偏振态(%)95
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发光面宽度(μm)100~230
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焊接温度(℃)≤260
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工作温度(℃)15~40
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存储温度(℃)0~70
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温漂系数(nm/°C)0.3
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尺寸 (L×W×H)(mm)4.8×4.05×0.456 / 4.5×5.7×0.5
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重量(g)<1
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