30W/50W/200W半导体激光器
30W/50W/200W 主要用于光伏电池检查，检测是一种基于光学激发和高灵敏相机成像的非接触式检测方法，广泛应用于硅片、太阳能电池片以及其他半导体材料的质量检测。
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30/50/200W功率可选范围
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808±5/915±10nm中心波长
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10nm半波全宽
资料下载
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产品优势
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产品参数
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相关产品
产品优势
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非接触式检测
PL检测采用非接触式的方法，对硅片不造成任何物理损伤或污染，确保样品在检测过程中保持完好
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高灵敏度
PL检测能够发现微米级别甚至纳米级别的缺陷和杂质，其灵敏度远高于传统方法
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快速高效
PL检测可以在短时间内处理大量样品，大幅提高生产效率和产品质量控制的效率
产品参数
系列型号
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JPT-30W
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JPT-50W
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JPT-200W
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输出功率（W）
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中心波长（nm）
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中心波长偏差
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典型工作距离（mm）
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可检硅片尺寸（mm）
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配电需求（V）
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IO接口（V）
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平均功耗（W）
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出光控制方式
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功率调节方式
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工作温湿度（℃）
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尺寸 (L×W×H)（mm）
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重量（kg）
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适用工艺
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冷却方式
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JPT-30W
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输出功率（W）30
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中心波长（nm）808
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中心波长偏差±5
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典型工作距离（mm）230~260
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可检硅片尺寸（mm）≤230
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配电需求（V）220
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IO接口（V）白 0~24V+/黑 0~0.5V-
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平均功耗（W）100
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出光控制方式GUI/IO接口
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功率调节方式GUI
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工作温湿度（℃）20~30；＜80%
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尺寸 (L×W×H)（mm）205×111×123
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重量（kg）≈4
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适用工艺硅片镀膜后工艺
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冷却方式风冷
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JPT-50W
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输出功率（W）50
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中心波长（nm）808
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中心波长偏差±5
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典型工作距离（mm）230~260
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可检硅片尺寸（mm）≤230
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配电需求（V）220
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IO接口（V）白 0~24V+/黑 0~0.5V-
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平均功耗（W）130
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出光控制方式GUI/IO接口
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功率调节方式GUI
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工作温湿度（℃）20~30；＜80%
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尺寸 (L×W×H)（mm）232×140×122
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重量（kg）≈5
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适用工艺硅片扩散后工艺
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冷却方式风冷
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JPT-200W
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输出功率（W）200
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中心波长（nm）915
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中心波长偏差±10
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典型工作距离（mm）230~260
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可检硅片尺寸（mm）≤230
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配电需求（V）220
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IO接口（V）白 0~24V+/黑 0~0.5V-
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平均功耗（W）560
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出光控制方式GUI/IO接口
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功率调节方式GUI
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工作温湿度（℃）20~30；＜80%
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尺寸 (L×W×H)（mm）450×235×70
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重量（kg）≈10
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适用工艺硅原片以后工艺
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冷却方式水冷
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资料下载
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